[发明专利]由熔融盐中的二氧化硅通过电沉积在金属上制备薄膜太阳能级硅无效
| 申请号： | 201380038742.7 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104704149A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵成基;艾伦·J·巴尔德;夫伦·F·法恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯大学系统董事会 |
| 主分类号： | C25D5/04 | 分类号： | C25D5/04;C25D3/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备硅膜的方法，其包括：形成包含分散于熔融盐中的二氧化硅的沉积组合物；将金属基材和对电极置于所述组合物中；以及在所述金属基材与所述对电极之间通过还原电流，其中所述还原电流产生二氧化硅粒子的还原，以在所述金属基材上形成硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 熔融 中的 二氧化硅 通过 沉积 金属 制备 薄膜 太阳 能级 | ||
【主权项】：
一种制备硅膜的方法，其包括：形成包含分散于熔融盐中的二氧化硅的沉积组合物；将银基材和对电极置于所述组合物中；和在所述银基材与所述对电极之间通过还原电流，其中所述还原电流引起二氧化硅粒子的还原，以在所述银基材上形成硅膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯大学系统董事会;，未经德克萨斯大学系统董事会;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380038742.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅单晶基板及其制法
- 下一篇：遮覆框支撑件
