[发明专利]增加的到纳米孔中的分子捕获率有效
| 申请号： | 201380038979.5 | 申请日： | 2013-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104487836B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 彭红波;G·A·斯托洛维茨基;王德强 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G01N27/447 | 分类号： | G01N27/447 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于捕获分子的机构。纳米孔通过将第一腔与第二腔分开的膜，并且所述纳米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有离子缓冲物。窄颈部处于所述第一腔的中间区域，并且所述窄颈部被对准到所述纳米孔的入口。与具有低强度电场的所述第一腔的其它区域相比，所述窄颈部具有高强度电场。在对准到所述纳米孔的所述入口的中间区域处，具有高强度电场的所述窄颈部集中所述分子。施加在所述第一腔和所述第二腔之间的电压驱动被集中在所述纳米孔的所述入口处的所述分子通过所述纳米孔。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 纳米 中的 分子 捕获 | ||
【主权项】：
一种用于捕获分子的方法，所述方法包括：提供通过将第一腔和第二腔分开的膜的纳米孔，所述纳米孔、所述第一腔和所述第二腔填充有离子缓冲物；在所述第一腔的中间区域处提供窄颈部，在所述中间区域处的所述窄颈部被对准到所述纳米孔的入口；以及将所述窄颈部配置为，与包括低强度电场的所述第一腔的其它区域相比，所述窄颈部包括高强度电场，所述高强度电场在对准到所述纳米孔的所述入口的所述中间区域处集中分子；其中，在所述第一腔和所述第二腔之间施加的电压驱动被集中在所述纳米孔的所述入口处的所述分子通过所述纳米孔，其中通过在所述第一腔中跨所述窄颈部施加交流电压以将所述分子极化。
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