[发明专利]检查方法及设备、光刻系统以及器件制造方法有效
| 申请号： | 201380039089.6 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104487898B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | H·克拉莫;R·索哈;P·蒂纳曼斯;J-P·拉森 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种检查方法确定了衬底图案的轮廓参数的值。制造具有基准图案目标(BP)的基准衬底，其具有由例如CD(中间临界尺寸)、SWA(侧壁角)和RH(抗蚀剂高度)等轮廓参数所描述的轮廓。散射量测用于获得来自第一和第二目标的第一和第二信号。微分图案轮廓参数的值通过使用贝叶斯微分成本函数基于基准光瞳和受扰光瞳之间的差并且光瞳对图案轮廓参数的依赖性来计算。例如，测量基准过程和受扰过程之间的差，用于光刻过程的稳定控制。正向反馈微分叠层参数也由与图案目标相同的衬底上的叠层目标的观测来计算。 | ||
| 搜索关键词： | 检查 方法 设备 光刻 系统 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种用于确定形成在衬底上的图案的轮廓参数的值的检查方法，所述方法包括步骤：(a)支撑包括第一图案目标的衬底；(b)用辐射照射第一图案目标并且检测被散射的辐射以获得第一图案信号；(c)支撑包括第二图案目标的衬底；(d)用辐射照射第二图案目标并且检测被散射的辐射以获得第二图案信号；和(e)通过使用第一图案信号和第二图案信号之间的差和关于图案信号对于图案轮廓参数的依赖性的预定的信息来计算微分图案轮廓参数的值。
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