[发明专利]等离子体处理设备与溅镀系统有效
| 申请号： | 201380039732.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104508174B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;阿德金·沙拉积历 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01J37/32;H01J37/34;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马爽,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理设备，包括：处理腔室；平台，置在所述处理腔室中用来支撑工件；源，经配置以在具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘的处理腔室中产生等离子体；具有间隙的绝缘的等离子体鞘调节器，配置在所述等离子体与所述平台之间，使得所述等离子体鞘调节器的第一表面邻近所述等离子体且第二表面靠近所述平台，且所述等离子体鞘调节器经配置以控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由所述工件的朝向所述等离子体的前表面定义的平面；以及金属靶材，附加于所述绝缘的等离子体鞘调节器的邻近所述平台的所述第二表面，其中所述等离子中的离子被吸引越过所述边界穿过所述间隙且以多个入射角撞击所述金属靶材。
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