[发明专利]基座、结晶生长装置以及结晶生长方法

摘要

本发明提供一种基座、结晶生长装置以及结晶生长方法，其使生长层均匀地生长在载置于在基座上的基板上。在下部板(31)中，在基板载置部(311)的外周，高于基板载置部(311)的外周突起部(312)包围基板载置部(311)而形成。由此，基板载置部(311)成了形成于下部板(31)中的凹部底面，而基板(50)被载置于该凹部上。即，下部板(31)形状为：基板(50)嵌合于被外周突起部(312)所包围的内部中。

主权项

一种基座，其是用来支撑基板、并在该基板上利用化学气相沉积法来形成生长层的基座，其特征在于，所述基座具有下部板与上部板，其中所述上部板被设置在该下部板的上表面；所述下部板具备基板载置部，该基板载置部是在所述下部板的上表面载置所述基板的区域，并且，所述下部板在所述基板载置部周围具备外周突起部，该外周突起部形成为：将所述基板包围在所述基板载置部上的形状；所述上部板载置于所述下部板的上表面的除了所述基板载置部以及所述外周突起部以外的区域，所述上部板具有使所述基板载置部和所述外周突起部的顶部暴露于所述上部板的上表面一侧的形状；所述上部板的在上下方向上的热传导率比所述下部板的在上下方向上的热传导率低。