[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380039845.5 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104508808B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置(100)具备在基板(10)上形成的栅极电极(12)；在栅极电极上形成的栅极绝缘层(20)；在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(18)；与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(16)；和在源极电极和上述漏极电极上形成的绝缘层(22)，绝缘层具有与源极电极和漏极电极的上表面的至少一部分接触，具有大于0nm且为30nm以下的厚度的氮化硅层(22a)；和在氮化硅层上形成的具有大于30nm的厚度的氧化硅层(22b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：基板；在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和在所述源极电极和所述漏极电极上形成的绝缘层，所述半导体装置的特征在于：所述绝缘层包含：与所述源极电极和漏极电极的上表面的至少一部分接触，具有大于0nm且为30nm以下的厚度的氮化硅层；和在所述氮化硅层上形成的具有大于30nm的厚度的氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380039845.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水电解液以及使用了该非水电解液的蓄电设备
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
