[发明专利]针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料有效
申请号: | 201380039967.4 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104704606B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | J·Y·孙;B·P·卡农戈;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层,该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物,该化合物包含自约50摩尔%至约75摩尔%范围内的Y2O3、自约10摩尔%至约30摩尔%范围内的ZrO2及自约10摩尔%至约30摩尔%范围内的Al2O3,其中每英寸节结的数目处于自约30个节结至约45个节结的范围内且孔隙率处于自约2.5%至约3.2%的范围内。 | ||
搜索关键词: | 针对 先进 元件 晶圆上 粒子 性能 化学 相容性 涂层 材料 | ||
【主权项】:
一种用于半导体处理腔室的制品,所述制品包含:Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体;以及所述主体上的陶瓷涂层,所述陶瓷涂层由具有环形的粒子的粉末形成,包含化合物,所述化合物包含自50摩尔%至75摩尔%的范围内的Y2O3、自10摩尔%至30摩尔%的范围内的ZrO2及自10摩尔%至30摩尔%的范围内的Al2O3,其中每英寸节结的数目在自30个节结至45个节结的范围内且孔隙率在自2.5%至3.2%的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造