[发明专利]用于光电子器件的反射性的接触层系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201380040707.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105051916B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·彼得;西梅昂·卡茨;于尔根·奥弗;科比尼安·佩尔茨尔迈尔;卡伊·格尔克;罗尔夫·艾达姆;于尔根·多伊布勒;托尔斯滕·帕索 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提出一种用于光电子器件(100)的反射性的接触层系统，包括p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)，透明的传导的氧化层(3)，反射层(4)，和设置在p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)和透明的传导的氧化层(3)之间的p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)，其中p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)在朝向透明的传导的氧化层(3)的边界面(23)上具有N面域(22)，并且其中N面域(22)在边界面(23)上具有至少95％的面积份额。此外，提出一种用于制造接触层系统的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电子 器件 反射 接触 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光电子器件(100)的反射性的接触层系统，包括：‑p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)；‑透明的传导的氧化层(3)；‑反射层(4)；和‑设置在所述p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)和所述透明的传导的氧化层(3)之间的p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)，其中所述p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)在朝向所述透明的传导的氧化层(3)的边界面(23)上具有N面域(22)，并且其中所述N面域(22)在所述边界面(23)上具有至少95％的面积份额。
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