[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201380041098.9 | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104508840B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·赫特功;洛伦佐·齐尼;简-菲利普·阿尔;亚历山大·弗里 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,李德山 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在至少一个实施方式中，设立用于制造光电子半导体芯片(1)的方法。该方法以给出的顺序至少包括下述步骤A)提供具有生长侧(20)的生长衬底(2)；B)在生长侧(20)上沉积至少一个基于AlxGa1‑xOyN1‑y的成核层(3)；C)沉积并且结构化掩膜层(4)；D)可选地，在成核层(3)上在不由掩膜层(4)遮盖的区域中生长基于GaN的生长层(5)；E)在不由掩膜层(4)遮盖的区域中部分地移除成核层(3)和/或生长层(5)或者在成核层(3)上或在生长层(5)上在不由掩膜层(4)遮盖的区域中施加第二掩膜层(7)；以及F)生长具有至少一个有源层(65)的基于AlInGaN的半导体层序列(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法具有下述步骤：A)提供具有生长侧(20)的生长衬底(2)；B)在所述生长侧(20)上沉积至少一个成核层(3)，其中所述成核层(3)基于AlxGa1‑xOyN1‑y，其中0<x≤1并且0≤y<1；C)在所述成核层(3)上沉积第一掩膜层(4)并且将所述第一掩膜层(4)结构化；D)在不由所述第一掩膜层(4)遮盖的区域中生长基于GaN的生长层(5)；E)在不由所述第一掩膜层(4)遮盖的区域中部分地移除所述生长层(5)并且在不由所述第一掩膜层(4)遮盖的区域中将第二掩膜层(7)施加到所述生长层(5)上，所述第二掩膜层是氮化物掩膜，其中在不由所述第二掩膜层(7)遮盖的区域中在所述生长层(5)上构成多个成长岛(55)，其中从所述成长岛(55)开始，较小的结构外延地横向地过度生长成横截面为三角形或梯形的较大的结构，其中继续横向的过度生长，使得在横截面中观察形成更大的、三角形的生长结构(58)，其中从生长结构(58)开始，横向地过度生长成遮盖整个生长侧(20)的聚结层(8)；以及F)在所述聚结层(8)上生长具有至少一个有源层(65)的基于AlInGaN的半导体层序列(6)，其中以给出的顺序执行各个步骤。
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