[发明专利]高度发光的纳米结构和制备它们的方法有效
| 申请号： | 201380041371.8 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104520228B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 郭文卓;陈建;R·杜布罗;W·P·弗里曼 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;C09K11/70;C09K11/62;C09K11/56;C09K11/54 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点。该纳米结构具有高的光致发光量子产率并且在某些实施方案中发射特定波长的光并具有窄的尺寸分布。该纳米结构可包含配体，包括在壳形成期间利用的C5‑C8羧酸配体和/或在合成之后提供的二羧酸或者多元羧酸配体。还提供了用于制备这样的高度发光的纳米结构的工艺，包括用于富集具有铟的纳米结构核的方法和用于壳合成的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 发光 纳米 结构 制备 它们 方法 | ||
【主权项】：
一种组合物，其包含：纳米结构；和与该纳米结构的表面结合的C5‑C8羧酸配体，其中，该纳米结构是InP/ZnSxSe1‑x/ZnS核/壳量子点，其中0<x<1。
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