[发明专利]附载体铜箔

摘要

本发明提供一种附载体铜箔，其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低，而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离，且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成。在中间层中，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，在包含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm2，在包含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时，在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。

主权项

一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层，并且该中间层为依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成，在该中间层，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，在含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm2，在含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm2，在将深度方向设为x且其单位为nm，另将原子浓度以％表示的情形时，当使中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向的镍的原子浓度设为g(x)，将铜的原子浓度设为h(x)，将钼的合计原子浓度设为i(x)，将钴的原子浓度设为j(x)，将氧的原子浓度设为k(x)，将碳的原子浓度设为l(x)，将其他的原子浓度设为m(x)，则在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。