[发明专利]处理腔室及基板处理装置有效
申请号: | 201380041764.9 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN104620353B | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 尹松根;李种华;高赫俊;李障赫 | 申请(专利权)人: | ZensM有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/02 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及处理腔室及基板处理装置,本发明实施形态的处理腔室,包括晶舟,其上下间隔层叠多个基板;腔室外壳,其上升所述晶舟来位于其内部空间,在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部;晶舟升降手段,其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部;基板移送闸门,其贯通所述腔室外壳的一侧壁。另外,本发明实施形态的基板处理装置,包括处理腔室,其具有间隔层叠多个基板的晶舟,其旋转的同时将工序气体喷射到在晶舟内间隔层叠的基板之间之后排放到外部;负载锁定腔室,其在真空状态变化为大气状态,或在大气状态变化为真空状态;移送腔室,其将在所述负载锁定腔室内移送的基板移送到处理腔室,将从所述处理腔室移送的基板移送到负载锁定腔室。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种处理腔室,其特征在于,包括:晶舟,其上下间隔层叠多个基板;下层腔室外壳,其具有作为其内部空间的第1内部空间,并且通过贯通所述腔室外壳的一侧壁的基板移送闸门来与移送腔室连接,其中所述移送腔室在真空状态下移送所述多个基板;上层腔室外壳,包括上层腔室内部外壳、上层腔室外部外壳、工序气体喷射手段和工序气体排放手段,其中,所述上层腔室内部外壳位于所述下层腔室外壳的上层,并具有作为其内部空间的第2内部空间,并收纳通过开放的下侧而上升的晶舟;所述上层腔室外部外壳间隔包裹所述上层腔室内部外壳的上面及侧壁;所述工序气体喷射手段在所述上层腔室内部外壳的一侧内壁以水平方向喷射工序气体,以使工序气体流动间隔层叠的基板之间;所述工序气体排放手段在所述上层腔室内部外壳的内部空间将已处理基板的工序气体排放到外部;晶舟升降手段,包括晶舟支撑架,其支撑所述晶舟的下部面板;升降旋转驱动轴,其贯通所述下层腔室外壳的底面,来上升及下降所述晶舟支撑架,从而在所述下层腔室外壳的第1内部空间与所述上层腔室外壳的第2内部空间之间升降所述晶舟,并旋转所述晶舟支撑架;密封结合体,密封所述晶舟支撑架外周外侧上部面以及与所述晶舟支撑架接触的所述上层腔室内部外壳的底面;等离子生成手段,包括等离子天线,施加电压的一末端及接地连接点的另一端位于所述上层腔室外壳的上侧,并且所述一末端与另一末端的连接线路以U形状,以横跨设置有所述工序气体喷射手段的所述上层腔室内部外壳的外壁与所述上层腔室外部外壳内壁之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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