[发明专利]复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜有效
| 申请号： | 201380042112.7 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104520467B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 仓持豪人;玉野公章;秋池良;饭草仁志 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够得到在较宽的波长区域显示更低的光吸收特性、且低电阻的氧化物透明导电膜的复合氧化物烧结体、及氧化物透明导电膜。本发明提供复合氧化物烧结体，其特征在于，为具有铟、锆、铪及氧的复合氧化物烧结体，在将铟、锆及铪的含量分别设为In、Zr、Hf时，构成该烧结体的元素的原子比为Zr/(In+Zr+Hf)＝0.05～4.5at％，Hf/(In+Zr+Hf)＝0.0002～0.15at％。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 烧结 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种复合氧化物烧结体，其特征在于，其具有铟、锆、铪及氧作为构成元素，在将铟、锆及铪的含量分别设为In、Zr、Hf时，构成该烧结体的元素的原子比为：Zr/（In+Zr+Hf）=0.05~4.5at%Hf/（In+Zr+Hf）=0.0002~0.15at%，所述复合氧化物烧结体中的铟含量相对于金属元素总计为95at%以上。
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