[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

形成了碳化硅衬底(100)，其包括具有第一导电类型的第一层(121)，具有第二导电类型的第二层(122)，以及具有第一导电类型的第三层(123)。形成具有内表面的沟槽(TR)，所述内表面包括侧壁面(SW)和底面(BT)，侧壁面穿透第三层(123)和第二层(122)且到达第一层(121)，底面由第一层形成(121)。形成了覆盖底面(BT)的硅膜。通过在沟槽(TR)中的氧化在内表面上形成栅氧化膜(201)。栅氧化膜(201)包括通过碳化硅衬底的氧化形成的第一部分(201A)和通过在底面(BT)上的硅膜的氧化形成的第二部分(201B)。因此，提供了一种用于制造耐高压碳化硅半导体器件(500)的方法。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成碳化硅衬底的步骤，所述碳化硅衬底包含：具有第一导电类型的第一层，设置在所述第一层上且具有第二导电类型的第二层，以及设置在所述第二层上且通过所述第二层与所述第一层隔开并具有所述第一导电类型的第三层；形成具有内表面的沟槽的步骤，所述内表面具有侧壁面和底面，所述侧壁面延伸穿过所述第三层和所述第二层且到达所述第一层，所述底面由所述第一层形成；以覆盖所述底面的方式形成硅膜的步骤；通过在所述沟槽中的氧化在所述内表面上形成栅氧化膜的步骤，所述栅氧化膜包含通过所述碳化硅衬底的氧化形成的第一部分和通过在所述底面上的所述硅膜的氧化形成的第二部分；以及在所述栅氧化膜上形成栅电极的步骤，所述形成沟槽的步骤包括以下步骤：在所述第三层上形成具有开口的掩模的步骤，以及使用所述掩模腐蚀所述碳化硅衬底的步骤，所述腐蚀所述碳化硅衬底的步骤包括：通过热腐蚀所述碳化硅衬底形成包括具有{0‑33‑8}面的面取向的第一面的所述侧壁面的步骤。