[发明专利]耐热复合材料的制造方法及制造装置在审

专利信息
申请号: 201380042867.7 申请日: 2013-02-15
公开(公告)号: CN104619881A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 中村武志;石崎雅人;渕上健儿;保户塚梢;霜垣幸浩;百濑健;福岛康之;佐藤登;船门佑一;杉浦秀俊 申请(专利权)人: 株式会社IHI;国立大学法人东京大学
主分类号: C23C16/42 分类号: C23C16/42;C04B41/87
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;李家浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在将碳化硅浸渍于陶瓷纤维预制体的耐热复合材料的制造中,兼顾碳化硅的制膜的生长速度与包埋均一性。通过化学气相沉积法或化学气相浸渍法将碳化硅沉积于反应炉11所容纳的预制体100进行制膜,通过加入供给于反应炉11的原料气体及运载气体的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度与包埋均一性。在制膜遵从一级反应的情况下,通过添加气体的添加量来控制制膜种的附着概率,在制膜遵从朗谬尔-欣谢伍德型速度式的情况下,通过添加气体的添加量进行控制,使得利用朗谬尔-欣谢伍德型速度式的零级反应区。
搜索关键词: 耐热 复合材料 制造 方法 装置
【主权项】:
一种耐热复合材料的制造方法,其特征在于,使用化学气相沉积法或化学气相浸渍法,将具有微细结构的基材容纳于反应炉并流动原料气体及运载气体,使碳化硅沉积于所述基材进行制膜,在所述原料气体及运载气体中加入添加气体,通过该添加气体的添加量来控制所述碳化硅的制膜的生长速度及包埋均一性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社IHI;国立大学法人东京大学,未经株式会社IHI;国立大学法人东京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380042867.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top