[发明专利]耐热复合材料的制造方法及制造装置在审
申请号: | 201380042867.7 | 申请日: | 2013-02-15 |
公开(公告)号: | CN104619881A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 中村武志;石崎雅人;渕上健儿;保户塚梢;霜垣幸浩;百濑健;福岛康之;佐藤登;船门佑一;杉浦秀俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社IHI;国立大学法人东京大学 |
主分类号: | C23C16/42 | 分类号: | C23C16/42;C04B41/87 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;李家浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在将碳化硅浸渍于陶瓷纤维预制体的耐热复合材料的制造中,兼顾碳化硅的制膜的生长速度与包埋均一性。通过化学气相沉积法或化学气相浸渍法将碳化硅沉积于反应炉11所容纳的预制体100进行制膜,通过加入供给于反应炉11的原料气体及运载气体的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度与包埋均一性。在制膜遵从一级反应的情况下,通过添加气体的添加量来控制制膜种的附着概率,在制膜遵从朗谬尔-欣谢伍德型速度式的情况下,通过添加气体的添加量进行控制,使得利用朗谬尔-欣谢伍德型速度式的零级反应区。 | ||
搜索关键词: | 耐热 复合材料 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种耐热复合材料的制造方法,其特征在于,使用化学气相沉积法或化学气相浸渍法,将具有微细结构的基材容纳于反应炉并流动原料气体及运载气体,使碳化硅沉积于所述基材进行制膜,在所述原料气体及运载气体中加入添加气体,通过该添加气体的添加量来控制所述碳化硅的制膜的生长速度及包埋均一性。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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