[发明专利]外延膜形成方法、溅射设备、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置在审
| 申请号： | 201380043537.X | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104603913A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 醍醐佳明 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供外延膜形成方法，在该方法中通过溅射在α-Al2O3基板上外延生长高品质第Ⅲ族氮化物半导体薄膜。根据该外延膜形成方法，当在配置在设置有溅射装置(1)的偏置电极(103)和加热器电极(104)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成第Ⅲ族氮化物半导体薄膜的外延膜时，在α-Al2O3基板通过加热器电极(104)保持在预定温度的状态下，将高频电力施加至靶电极(102)以及高频偏置电力施加至偏置电极(103)，进行所述施加以使得在高频电力与高频偏置电力之间不发生频率干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 形成 方法 溅射 设备 半导体 发光 元件 制造 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种外延膜形成方法，所述方法通过使用溅射法在基板上形成外延膜，所述方法包括：将所述基板配置在设置有具有纤锌矿型结构的靶和用于通过成膜形成具有纤锌矿型结构的膜的靶的至少之一的容器中；将高频电力施加至连接所述靶的靶电极，并且以抑制施加的高频电力与施加的高频偏置电力之间的频率干涉的方式将高频偏置电力施加至支承所述基板的基板保持件；以及通过用由所述高频电力产生的等离子体溅射所述靶，在所述基板上形成所述外延膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司，未经佳能安内华股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380043537.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
