[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380043764.2 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104584229B | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种显示稳定的电特性的高可靠性半导体装置。制造高可靠性半导体装置。其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：绝缘表面上的第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的第一绝缘层；以及所述第一绝缘层上的第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层及所述第三氧化物半导体层重叠，其中，所述第三氧化物半导体层与所述第一氧化物半导体层的侧表面接触，其中，所述第三氧化物半导体层覆盖所述第二氧化物半导体层的侧表面并与之接触，其中，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个具有晶体结构，其中，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个包括铟、锌及镓，并且其中，所述第二氧化物半导体层中的铟的比例高于所述第三氧化物半导体层中的铟的比例。
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