[发明专利]半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法

摘要

本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M₁)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。

主权项

1.一种半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于包括：粒子排列步骤，以由下述式(1)定义的排列的偏差D(％)成为15％以下的方式，使多个粒子以单层排列在基板上；粒子蚀刻步骤，以所述粒子被蚀刻且所述基板实质上未被蚀刻的条件，对排列的所述多个粒子进行干式蚀刻而在粒子间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将所述粒子蚀刻步骤后的多个粒子作为蚀刻掩膜，对所述基板进行干式蚀刻，而在所述基板的一面形成凹凸构造；D(％)＝|B－A|×100/A···(1)其中，式(1)中，A为粒子的平均粒径，B为粒子间的众数间距，此外，|B－A|是表示A与B的差的绝对值；所述粒子排列步骤包括：滴加步骤，对水槽内的水的液面滴加使粒子分散在比重小于水的溶剂中而成的分散液；单粒子膜形成步骤，通过使所述溶剂挥发而在水的液面上形成包含所述粒子的单粒子膜；以及移行步骤，将所述单粒子膜移取至基板；所述基板为蓝宝石，所述粒子为二氧化硅，所述粒子蚀刻步骤是使用选自由CF4、SF6、CHF3、C2F6、C3F8、CH2F2、O2、及NF3所组成的群中的至少1种气体作为蚀刻气体的步骤，所述基板蚀刻步骤是使用选自由Cl2、Br2、BCl3、SiCl4、HBr、HI、HCl、及Ar所组成的群中的至少1种气体作为蚀刻气体的步骤。