[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201380043901.2 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104584234B | 公开(公告)日: | 2016-12-28 |
发明(设计)人: | 尹希京 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括基板,在基板上的背电极层,在背电极层上的光吸收层,在光吸收层上的缓冲层,以及在缓冲层上的前电极层。所述缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。所述方法包括在基板上形成背电极层,在背电极层形成光吸收层,在光吸收层上形成第一缓冲层;以及在第一缓冲层上形成第二缓冲层,其中第一缓冲层或第二缓冲层包括硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:基板;在所述基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;以及在所述缓冲层上的前电极层,其中所述缓冲层包含硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)和氢氧化锌(Zn(OH)2)中的至少一种,其中所述缓冲层包括在所述光吸收层上的第一缓冲层以及在所述第一缓冲层上的第二缓冲层,其中所述第一缓冲层相比所述第二缓冲层包含更多的硫化锌,其中所述第一缓冲层相比所述第二缓冲层包含更少的氧化锌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的