[发明专利]从坩埚中的种晶生长硅铸锭的系统和方法及其中所使用的种晶的制造在审
| 申请号： | 201380043928.1 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104769166A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | I·T·维廷;V·辛;N·端木 | 申请（专利权）人： | GTAT公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B13/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供降低硅铸锭生产总成本的系统及方法。更具体地说，可以特殊取向自关于多个节点的硅晶锭薄切一或多片表面片件。这些一或多片表面片件可接着予以形成为一或多颗可用于硅铸锭生长工艺具有特定长度、宽度和厚度的种晶。藉由利用这些片件以形成一或多颗种晶，以前会遭到丢弃的晶锭片件现在可予以用于形成高品质种晶以供硅铸锭生长工艺使用。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 中的 生长 铸锭 系统 方法 其中 使用 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造种晶以供用在硅铸锭生长工艺中的方法，该方法包含：藉由第一切割装置以特殊取向涉及多个节点自硅晶锭薄切一或多片表面片件；以及将该一或多片表面片件形成为可用在硅铸锭生长工艺中具有特定长度、宽度和厚度的一或多颗种晶。
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