[发明专利]包含具有低带隙包覆层的沟道区的非平面半导体器件在审
| 申请号： | 201380044179.4 | 申请日： | 2013-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104584189A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;B·舒-金;D·巴苏;S·K·加德纳;S·苏里;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;H·W·田;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L23/544 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种包含低带隙包覆层的沟道区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括被设置在衬底上方的由多条纳米线构成的竖直排列。每一条纳米线包括具有第一带隙的内部区域和包围所述内部区域的外部包覆层。所述包覆层具有第二较低带隙。栅叠置体被设置在所述纳米线中的每一条纳米线的所述沟道区上并且完全包围所述纳米线中的每一条纳米线的所述沟道区。所述栅极叠置体包括被设置在所述包覆层上并且包围所述包覆层的栅极电介质层和被设置在所述栅极电介质层上的栅极电极。源极区和漏极区被设置在所述纳米线的所述沟道区的任一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 低带隙包 覆层 沟道 平面 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的由多条纳米线构成的竖直排列，所述多条纳米线中的每一条纳米线都包括具有第一带隙的内部区域和包围所述内部区域的外部包覆层，所述包覆层具有第二较低带隙；设置在所述纳米线中的每一条纳米线的沟道区上并且完全包围所述纳米线中的每一条纳米线的沟道区的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括被设置在所述包覆层上并且包围所述包覆层的栅极电介质层和被设置在所述栅极电介质层上的栅极电极；以及设置在所述纳米线的所述沟道区的任一侧上的源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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