[发明专利]薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 201380045020.4 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104603919B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;朴辰玄;金连洪 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的所述栅极绝缘膜是硅氧化膜，其中的氢浓度被控制在0.667原子％以上4原子％以下，将各金属元素相对于除了氧的所有金属元素的含量分别以原子％设为[In]、[Zn]及[Sn]时，所述氧化物半导体层满足以下关系：15≤[In]≤35、50≤[Zn]≤60、18.3≤[Sn]≤30。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
