[发明专利]沟槽限定的外延生长器件层

摘要

提供了一种沟槽限定的选择性外延生长工艺，其中，在沟槽的限定内进行半导体器件层的外延生长。在实施例中，制作沟槽，使其包括设置在所述沟槽的底部的原来的平面半导体种子表面。可以使包围种子表面的半导体区域相对于种子表面凹陷，其中，将隔离电介质设置到所述半导体区域上，以包围所述半导体种层并形成沟槽。在形成沟槽的实施例中，可以将牺牲硬掩模鳍状物覆盖到电介质内，之后对所述电介质平面化，以暴露出所述硬掩模鳍状物，之后去除所述硬掩模鳍状物，以暴露出所述种子表面。通过选择性异质外延从所述种子表面形成半导体器件层。在实施例中，通过使隔离电介质的顶表面凹陷来从所述半导体器件层形成非平面器件。在实施例中，可以由所述半导体器件层来制作具有高载流子迁移率的非平面CMOS器件。

主权项

一种在衬底上形成异质外延器件层的方法，所述方法包括：接收具有半导体种子表面的衬底；在所述种子表面之上形成硬掩模鳍状物；形成与所述硬掩模鳍状物相邻的隔离区；形成沟槽，其中，通过去除所述硬掩模鳍状物而使所述种子表面位于所述沟槽的底部；以及在所述沟槽内外延生长半导体器件层，所述器件层具有与所述半导体种子表面的晶格常数失配或CTE失配的至少其中之一。