[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201380045392.7 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104718602B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据本发明的一个实施方式,基板的处理发生在基板处理装置处,所述基板处理装置包括主腔室,其具有敞口顶部形状,并且具有在所述主腔室的一个侧部上形成的用于所述基板的入口和出口的直通路径;基座,其安装在所述主腔室内,并且在所述基座上放置有所述基板;腔室盖,其安装在所述主腔室的敞口顶部上并具有位于所述基座的顶部处的顶部安装空间,并且具有设置在所述顶部安装空间的外部的气体供应通道;加热块,其安装在所述顶部安装空间中,并且加热所述基板;以及气体供应口,其连接到所述气体供应通道,并且向处理空间供应处理气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,所述基板处理装置包括:主腔室,其具有下部安装空间和敞口顶部,所述下部安装空间从所述主腔室的底部表面凹进;基座,其设置在所述主腔室的所述下部安装空间中,以使得基板能够被放置在所述基座上;腔室盖,其设置在所述主腔室的所述敞口顶部上,所述腔室盖包括形成在所述腔室盖的中心部的上部安装空间和设置在与所述上部安装空间分隔开的所述腔室盖的边缘部中的气体供应通道;加热块,其设置在所述上部安装空间中,以加热所述基板;以及气体供应口,其连接到所述气体供应通道,以将处理气体供应到所述主腔室中,其中,所述气体供应通道朝向所述主腔室的所述底部表面开口,以向所述主腔室的所述底部表面喷射经由所述气体供应口供应的所述处理气体,其中,所述处理气体与所述主腔室的所述底部表面碰撞以使所述处理气体被扩散和散射。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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