[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201380045437.0 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104584194B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据本发明的实施方式,一种衬底处理装置,在其中进行衬底的处理,该衬底处理装置包括主腔室本体,其具有开口的顶部形状,并具有形成在其上的通道,并使得衬底能够进入且退出;腔室盖,其被设置在主腔室本体的顶部上并关闭主腔室本体的开口的顶部以提供在其中进行衬底处理的处理空间;基座,其被设置在处理空间内并加热衬底;以及加热块,其被设置在通道的顶部和底部上并实现对经由通道被装载的衬底的预加热。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种对单个衬底进行处理的衬底处理装置,该衬底处理装置包括:主腔室,其是以下的形状,该形状具有:开口的上侧部;通道,该通道形成在所述主腔室的侧壁内以使得在水平状态下经由该通道装载或卸载所述单个衬底;限定在与形成在所述主腔室的侧壁内的通道相对的一侧内的排放通道;以及在形成在所述主腔室的侧壁内的通道上面或下面形成的开口;腔室盖,其被设置在所述主腔室的所述开口的上侧部上以覆盖所述主腔室的所述开口的上侧部,所述腔室盖提供处理空间,在所述处理空间中执行对于所述衬底的处理;基座,其被设置在所述处理空间内以加热所述衬底;加热块,其被安装在所述开口上以对经由形成在所述主腔室的侧壁内的通道装载于所述处理空间的所述衬底进行初步加热;以及导流部,该导流部被设置在所述基座外侧,并向所述排放通道引导所述处理气体,其中,所述导流部包括:圆形引导部,其具有与所述基座同心的弧形,所述圆形引导部具有多个引导孔;以及多个线形引导部,其连接至所述圆形引导部的两个侧部,并且分别被设置在所述基座的两个侧部上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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