[发明专利]包含绝热材料的半导体装置封装以及制作及使用此类半导体封装的方法有效
| 申请号： | 201380045685.5 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104620375B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·格罗特斯;李健;罗时剑 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置封装包括第一半导体装置，所述第一半导体装置包括位于其至少一个端上的热产生区域。第二半导体装置附着到所述第一半导体装置。所述热产生区域的至少一部分横向延伸超过所述第二半导体装置的至少一个对应端。绝热材料至少部分地覆盖所述第二半导体装置的所述端。形成半导体装置封装的方法包括将第二半导体装置附着到第一半导体装置。所述第一半导体装置包括在其一端处的热产生区域。所述热产生区域的至少一部分横向延伸超过所述第二半导体装置的一端。用绝热材料至少部分地覆盖所述第二半导体装置的所述端。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 绝热材料 半导体 装置 封装 以及 制作 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置封装，其包括：第一半导体装置，其包括位于其一端上的热产生区域；第二半导体装置，其附着到所述第一半导体装置，所述热产生区域的至少一部分横向延伸超过所述第二半导体装置的一端；及绝热材料，其至少部分地覆盖所述第二半导体装置的所述端；其中所述绝热材料的导热率小于远离所述第二半导体装置的流动路径中的材料的导热率，所述流动路径从所述半导体装置的热产生区域通向所述半导体装置封装外而不穿过所述第二半导体装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380045685.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电转换元件以及光电转换元件的制造方法
- 下一篇：门接口密封的晶片容器
