[发明专利]用于沿选择的界面分离至少两个衬底的方法

摘要

本发明涉及一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构(S)包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施。本方法的特征在于其包含以下步骤，包括：界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏存在于所述界面(I1)处的硅氧烷(Si-O-Si)键的液体的共同作用敏感；在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开；以及液体施加在所述分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。

主权项

一种用于分离形成部分结构(S)的至少两个衬底(S1，S2)的工艺，所述结构包含至少两个分离界面(I1，I2)与所述结构的主要的面平行延伸，所述分离沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)，所述两个衬底中至少一个意在使用于电子、光学、光电、及/或光伏应用，通过在所述衬底(S1，S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开两个衬底的分离力，所述分离实施，其特征在于：‑界面(I1)被选择用于分离，其对应力腐蚀敏感，也就是说对所述分离力和能够破坏出现在所述界面(I1)处的硅氧烷(Si‑O‑Si)键的液体的共同作用敏感，‑在插入所述刃之前，包含刃(B)的插入区域的选择的界面(I1)的至少一部分外围区域(R1)被损坏，使得在所述外围区域(R1)的断裂能比在所述刃的插入区域的其它界面的断裂能低，因此使得能够沿着选择的界面(I1)在损坏的区域(R1)开始所述衬底(S1，S2)的分开，然后其中‑液体施加在所述分开的衬底(S1，S2)之间的空间中，同时所述刃保持插入，从而通过应力腐蚀减小选择的界面(I1)的断裂能。