[发明专利]形成氧化硅纳米图案的方法，形成金属纳米图案的方法以及使用其的信息存储用磁性记录介质

摘要

本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。

主权项

一种形成氧化硅纳米图案的方法，包括如下步骤：在基底的氧化硅上形成嵌段共聚物的薄膜，所述嵌段共聚物包括包含以下化学式1的重复单元的硬链段和包含以下化学式2的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；从所述嵌段共聚物的薄膜选择性除去所述软链段；以及使用已除去所述软链段的所述嵌段共聚物的薄膜作为掩膜，进行氧化硅的反应离子蚀刻，以形成氧化硅纳米点图案或纳米孔图案：[化学式1][化学式2]在化学式1中，n为5至600的整数，R为氢或甲基，R’为X、或者X为–Z‑R”，Y为具有1至10个碳原子的亚烷基，Z为具有6至20个碳原子的亚芳基，R”为具有10至20个碳原子的直链或支化的烃基，或具有10至20个碳原子的直链或支化的全氟代烃基，并且在化学式2中，m为30至1000的整数，R1为氢或甲基，R2为具有1至20个碳原子的烷基。