[发明专利]用于处理被覆层的基质的工艺盒、组件和方法有效
申请号: | 201380046832.0 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN104919579B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | J.帕尔姆;M.费尔芬格;S.乔斯特 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 陈浩然,李婷 |
地址: | 233018 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于处理被覆层的基质的工艺盒,其带有以下特征可气密地封闭的壳体,其形成空腔;该壳体包括至少一个壳体截段,其构造成使得基质通过射到该壳体截段上的电磁热辐射可热处理;该壳体具有可与用于其冷却的冷却装置联结的至少一个壳体截段和至少一个不可冷却的壳体截段;空腔被至少一个间隔壁划分成用于容纳基质的处理腔和中间腔,其中,间隔壁具有一个或多个开口且布置在基质与可调温的壳体截段之间;壳体设有通到空腔中的、可封闭的至少一个气体通引部用于排空和将过程气体引入空腔中。此外,其涉及用于处理被覆层的基质的组件和方法,在其中工艺盒的至少一个壳体截段在热处理期间和/或之后被冷却且通过设有一个或多个开口的间隔壁来阻碍在热处理期间所产生的气态物质扩散至被调温的壳体截段,间隔壁布置在被覆层的基质与被调温的壳体截段之间。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 被覆 基质 工艺 组件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于处理被覆层的基质(2)的工艺盒(1),包括:‑ 能够气密地封闭的壳体(3),其具有包围空腔(11)的壳体壁(4),‑ 所述壳体壁(4)包括至少一个第一壳体壁截段,所述至少一个第一壳体壁截段能够与用于其冷却的冷却装置(14)联结,‑ 所述壳体壁(4)包括至少一个第二壳体壁截段(5,6;27,29),其构造成使得所述基质(2)通过射入的电磁热辐射能够热处理,其中所述第二壳体壁截段(5,6;27,29)不同于所述第一壳体壁截段,‑ 所述空腔(11)通过至少一个间隔壁(20)被划分成用于容纳所述基质(2)的处理腔(21)和中间腔(22),其中,所述间隔壁(20)具有一个或多个开口(23,24,37)且布置在所述基质(2)和能够与所述冷却装置(14)联结的所述第一壳体壁截段之间,其中所述间隔壁(20)构造成使得在热处理期间通过被覆层的所述基质(2)的热处理所产生的气态物质从所述处理腔(21)出来的质量损失小于50%,并且其中,所述间隔壁(20)构造成使得由一个或多个所述开口(23,24,37)的总开口面积(25)除以所述处理腔(21)的内表面积(26)所形成的面积比处于5x10‑5至5x10‑4的范围中,‑ 所述壳体壁(4)设有通到所述空腔(11)中的、能够封闭的至少一个气体通引部(16)用于排空和将过程气体引入所述空腔(11)中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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