[发明专利]晶圆级发光二极管阵列有效
| 申请号： | 201380046853.2 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104620399B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级发光二极管(LED)阵列。根据一个实施例的LED阵列包括：生长基板；多个LED，布置在基板上，每个LED具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个LED上，由相同的材料形成，并且分别电连接到相应的LED的第一半导体层；第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上。一个或多个上电极电连接到相邻的LED的第二半导体层，其中，上电极中的其它上电极与相邻的LED的第二半导体层绝缘，LED通过上电极串联连接，第一焊盘电连接到串联连接的LED之中的输入LED，第二焊盘电连接到串联连接的LED之中的输出LED。因此，可提供可用高电压驱动的倒装芯片型LED。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列，包括：生长基板；多个发光二极管，布置在基板上，所述多个发光二极管中的每个发光二极管具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个上电极，布置在所述多个发光二极管上并且由相同的材料形成，所述多个上电极中的每个上电极电连接到发光二极管中的相应的发光二极管的第一半导体层；以及第一焊盘和第二焊盘，布置在上电极上，其中，至少一个上电极电连接到发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层，上电极中的另一上电极与发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，发光二极管通过上电极串联连接，其中，第一焊盘电连接到在串联连接的发光二极管之中的输入发光二极管，其中，第二焊盘电连接到在串联连接的发光二极管之中的输出发光二极管。
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