[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201380047723.0 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN104641730B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 奥村智洋;川浦广 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H05H1/30 分类号: H05H1/30;H01L21/20;H01L21/324
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 穆德骏,谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法,其能够稳定且高效地产生等离子体,并在短时间内高效地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。为了达成该目的,在具备开口部以外由电介质构件包围的环状腔(7)、设置于该环状腔附近的线圈(3)、和接近开口部(8)配置的基材载置台(1)的等离子体处理装置及其处理方法中,其特征在于,沿着与上述基材载置台所形成的面垂直的面来设置上述环状腔。根据该特征,能够稳定且高效地产生等离子体,并在短时间内高效地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 以及 方法
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:开口部;与所述开口部连通,且所述开口部以外被电介质构件包围的环状腔;用于向所述环状腔的内部导入气体的气体供给配管;设置于所述环状腔附近的线圈;连接于所述线圈的高频电源;和用于接近所述开口部配置基材的基材载置台,沿着与所述基材载置台所形成的面垂直的面设置所述环状腔,所述环状腔为形成一个连续闭合的绳状的长腔,所述环状腔的粗细为1mm以上、10mm以下,所述环状腔的外径为10mm以上。
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