[发明专利]用于麦克风和超低压力传感器的有缺陷制造的测试有效
申请号: | 201380047789.X | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN104620606B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | A·J·多勒;M·J·戴利 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H04R29/00 | 分类号: | H04R29/00;B81C99/00;G01L27/00;G01M3/02;H01L21/66 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于测试MEMS压力传感器装置、例如MEMS麦克风封装的方法。所述MEMS压力传感器装置包括定位在壳体内的压力传感器和用于从壳体外部向所述压力传感器引导声压的压力入口。激活声压源并且将来自所述声压源的声压引导到所述压力入口并且引导到所述壳体的除所述压力入口以外的外部位置。根据所述压力传感器的输出信号确定是否存在允许声压通过所述壳体外部在除所述压力入口以外的位置处到达所述压力传感器的一些缺陷。 | ||
搜索关键词: | 用于 麦克风 压力传感器 缺陷 制造 测试 | ||
【主权项】:
一种用于测试MEMS压力传感器装置的方法,所述MEMS压力传感器装置包括定位在壳体内的压力传感器和用于将声压从所述壳体外部向所述压力传感器引导的压力入口,所述方法包括:激活声压源;将声压从所述声压源引导到所述压力入口;将声压从所述声压源引导到所述壳体的除所述压力入口以外的外部位置,根据所述压力传感器的输出信号来确定是否存在允许声压通过所述壳体外部在除所述压力入口以外的位置处到达所述压力传感器的缺陷。
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