[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380047860.4 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104620390A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;三宅博之;宍户英明;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外，提供耗电量低的半导体装置。包括：包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括：用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括第一氧化绝缘膜和层叠于所述第一氧化绝缘膜上的第一氮化绝缘膜；所述第二绝缘膜上的透光性电极；晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的所述第一绝缘膜；以及所述第一绝缘膜上的与所述栅电极重叠的金属氧化物半导体膜；电容器，包括：所述第一绝缘膜上的用作第一电容电极的透光性导电膜；所述透光性导电膜上的用作电容介电膜的所述第二绝缘膜的一部分；以及所述第二绝缘膜的所述一部分上的用作第二电容电极的所述透光性电极，其中，所述金属氧化物半导体膜及所述透光性导电膜使用相同膜形成，所述第一氧化绝缘膜在所述金属氧化物半导体膜上并与其接触，并且，所述第一氮化绝缘膜在所述透光性导电膜上并与其接触且与所述金属氧化物半导体膜重叠。
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