[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201380048022.9 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104641469B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 上东秀幸;内藤正美;森野友生 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置具备具有基板(1)、漂移层(2)、绝缘膜(3)、肖特基势垒二极管(10)和多个第二导电型层(8)的结势垒肖特基二极管。所述肖特基势垒二极管(10)具备肖特基电极(4)和欧姆电极(5)。由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结势垒肖特基 二极管 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具备结势垒肖特基二极管的碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：基板(1)，具有主表面(1a)以及反面(1b)，由相对于结晶的一面具有偏离角的第一导电型的碳化硅构成；漂移层(2)，在所述基板(1)的所述主表面(1a)上形成，由杂质浓度比所述基板(1)低的第一导电型的碳化硅构成；绝缘膜(3)，被配置在所述漂移层(2)之上，在所述漂移层(2)的单元部具有开口部(3a)；肖特基势垒二极管(10)，具备形成于所述单元部、且以穿过所述绝缘膜(3)的开口部(3a)而与所述漂移层(2)的表面肖特基接触的方式形成的肖特基电极(4)、以及在所述基板(1)的反面(1b)形成的欧姆电极(5)；以及多个第二导电型层(8)，在所述肖特基电极(4)之中与所述漂移层(2)相接的区域的下方，以在所述漂移层(2)的表面与所述肖特基电极(4)连接的方式形成，且相互分离地配置；由所述多个第二导电型层(8)和所述漂移层(2)构成PN结二极管，所述多个第二导电型层(8)仅在与棒状的层叠缺陷平行的方向上形成为条纹状。
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