[发明专利]用于形成埋式下电极连同封装的MEMS装置的系统和方法有效
| 申请号： | 201380048541.5 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104736469B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | A·B·格雷厄姆;A·费伊;G·奥布赖恩 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;A·B·格雷厄姆;A·费伊;Ｇ·奥布赖恩 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 埋式下 电极 连同 封装 mems 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种形成MEMS装置的方法，包括：在第一晶圆的硅部分中限定出第一电极；在第一电极之上提供第一氧化层的第一部分；在第二晶圆的第一层之上提供第一氧化层的第二部分；在第一氧化层的相应的第一部分和第二部分处连接第一晶圆和第二晶圆；在第二晶圆的第一层中形成第二电极，所述第一层位于第一晶圆的上表面之上；在第二晶圆的第二层中形成第三电极，所述第二层位于第一层的上表面之上；在第二层之上形成第一触点，所述第一触点通过第二层和第一层与第一电极电通信；在第二层之上形成第二触点，所述第二触点通过第二层与第二电极电通信；和在第二层之上限定出第三触点，所述第三触点与第三电极电通信。
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