[发明专利]波长可扫掠激光源有效
| 申请号： | 201380048578.8 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104641517B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 克雷斯滕·温德;托尔·安斯贝克;郑一硕;奥勒·汉森 | 申请（专利权）人： | 丹麦科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/022;H01S5/10;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,顾晋伟 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了波长可扫掠激光源，其中所述激光源为适于产生在激射波长处的激光的半导体激光源。所述激光源包括衬底、第一反射器以及第二反射器。所述第一反射器与所述第二反射器一起限定出光学腔，并且被布置为支持在光学腔中在垂直于衬底的方向上沿着光学路径的光振荡。所述光学腔包括在光学路径上的空隙。所述第二反射器通过悬挂装置被弹性地悬挂在距所述第一反射器一定的距离处并且具有静止位置，所述第二反射器和所述悬挂装置一起限定微机电MEMS振荡器。所述MEMS振荡器具有谐振频率并且适于使所述第二反射器在所述静止位置的每一侧振荡。所述激光源还包括适于向MEMS振荡器施加电场的电连接。此外，还公开了激光源系统和使用激光源的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 可扫掠 激光 | ||
【主权项】：
一种波长可扫掠激光源，其中所述激光源为适于产生在激射波长处的激光的半导体激光源，所述激光源包括：衬底，第一反射器，以及第二反射器，所述第一反射器与所述第二反射器一起限定出光学腔，并且被布置为支持在所述光学腔中在垂直于所述衬底的方向上沿着光学路径的光振荡，所述光学腔包括在所述光学路径上的空隙，所述第二反射器通过悬挂装置被弹性地悬挂在距所述第一反射器一定的距离处并且具有静止位置，所述第二反射器和所述悬挂装置一起限定微机电MEMS振荡器，所述MEMS振荡器具有谐振频率并且适于使所述第二反射器在所述静止位置的每一侧振荡，所述激光源还包括：适于向所述MEMS振荡器施加电场的电连接；其中，所述激光源被封装以保持所述MEMS振荡器至少在操作时处于200托或更小的压力的真空下；以及其中，所封装的MEMS振荡器的机械品质因数为至少10。
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