[发明专利]表面处理镀敷材料及其制造方法、以及电子零件有效
| 申请号： | 201380048759.0 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104619883B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 儿玉笃志;涉谷义孝;深町一彦 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C25D5/12;C25D5/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蔡晓菡,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶须的产生得到抑制，即使曝露在高温环境下也保持良好的焊接性及低接触电阻，且端子、连接器的插入力低的表面处理镀敷材料。本发明的表面处理镀敷材料是在金属基材依次形成有由Ni或Ni合金镀敷构成的下层、及由Sn或Sn合金镀敷构成的上层的镀敷材料，且在上述上层表面存在P及N，附着在上述上层表面的P及N元素的量分别为P1×10‑11～4×10‑8mol/cm2、N2×10‑12～8×10‑9mol/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 材料 及其 制造 方法 以及 电子零件 | ||
【主权项】：
不存在晶须的表面处理镀敷材料，其是在金属基材依次形成有由Ni或Ni合金镀敷构成的下层、及厚度0.02～0.5μm的由Sn或Sn合金镀敷构成的上层的镀敷材料，且在所述上层表面存在P及N，附着在所述上层表面的P及N元素的量分别为：P：1×10‑11～4×10‑8mol/cm2、N：2×10‑12～8×10‑9mol/cm2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社，未经JX日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380048759.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
