[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、图像显示装置有效

专利信息
申请号: 201380049159.6 申请日: 2013-09-06
公开(公告)号: CN104662646B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 村田广大 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/50;H05B33/14
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 对源极电极(5)和漏极电极(6)进行成膜,利用涂敷法将半导体层(7)形成为与X轴方向(沟道长度方向)平行的条纹形状。然后,将保护层(8)形成为与和半导体层(7)正交的Y轴方向(沟道宽度方向)平行的条纹形状。然后,通过有机类溶剂、无机类溶剂、或它们的混合溶液去除半导体层(7)中的没有被保护层(8)覆盖的部分。由此,以良好的校准精度形成半导体层(7)和保护层(8)、且通过简单的过程实现晶体管元件(50)间的电气分离。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法 图像 显示装置
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其具有基板、以及形成在所述基板上的多个晶体管元件,该薄膜晶体管的特征在于,所述各晶体管元件具有:栅极电极,其形成在所述基板上;栅极绝缘体层,其形成在所述基板上,覆盖所述栅极电极;源极电极以及漏极电极,它们形成在所述栅极绝缘体层上;半导体层,其从所述源极电极上经过所述栅极绝缘体层上而形成至所述漏极电极上;以及保护层,其形成在所述半导体层上,在形成所述半导体层时,将所述半导体层形成为与一个方向平行且遍布所述各晶体管元件的条纹形状,该一个方向与所述各晶体管元件的从所述源极电极至所述漏极电极的沟道长度方向在俯视观察时平行或者相交叉,所述保护层形成为与所述一个方向在俯视观察时相交叉且遍布所述各晶体管元件的条纹形状,在所述沟道长度方向,或与所述沟道长度方向在俯视观察时相交叉的方向上,所述半导体层的两端的位置和所述保护层的两端的位置相一致。
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