[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380049515.4 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN104662668B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括氧化物半导体层的晶体管可以具有稳定的电特性。另外，提供包括上述晶体管的高可靠性的半导体装置。半导体装置包括包含氧化物层和氧化物半导体层的多层膜、与多层膜接触的栅极绝缘膜及隔着栅极绝缘膜与多层膜重叠的栅电极。在半导体装置中，氧化物半导体层包含铟，氧化物半导体层与氧化物层接触，并且氧化物层包含铟且具有比氧化物半导体层大的能隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：包含第一氧化物层、所述第一氧化物层上的氧化物半导体层和所述氧化物半导体层上的第二氧化物层的多层膜；与所述多层膜接触的栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜与所述多层膜重叠的栅电极；以及所述栅电极上的保护绝缘膜，所述保护绝缘膜包含第一层、第二层和第三层，其中所述第一氧化物层、所述第二氧化物层和所述氧化物半导体层都包含铟，所述氧化物半导体层与所述第一氧化物层以及所述第二氧化物层接触，所述第一氧化物层的带隙比所述氧化物半导体层的带隙大，所述第二氧化物层的带隙比所述氧化物半导体层的带隙大，其中所述氧化物半导体层包括结晶部，并且所述结晶部的c轴平行于所述第一氧化物层的表面的法线向量，其中所述第一层包含氧化硅或氧氮化硅，其中所述第二层包含氧化硅或氧氮化硅、且通过加热处理可以释放氧，其中所述第三层包含氮化硅。
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