[发明专利]掩模版变形定量测量系统有效

专利信息
申请号: 201380049621.2 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN104662480A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: M·成达;S·鲁;T·德威尔特;I·阿蒂斯 申请(专利权)人: ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种光刻设备,包括:照射系统,配置成调节辐射束;支撑件,构造成保持图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束;衬底台,构造成保持衬底;投影系统,配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。光刻设备还包括编码器头,设计成扫描图案形成装置的表面,以确定在沿图案形成装置的长度的第一方向上的变形和在基本上垂直于图案形成装置的表面的第二方向上的变形。
搜索关键词: 模版 变形 定量 测量 系统
【主权项】:
一种光刻设备,包括:照射系统,配置成调节辐射束;支撑件,构造成保持图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束,并且图案形成装置包括多个第一特征,支撑件包括多个第二特征;衬底台,构造成保持衬底;投影系统,配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;编码器头,配置成扫描图案形成装置的表面,以确定在沿图案形成装置的长度的第一方向上相对于与支撑件上的多个第二特征相关的第一位移的、与图案形成装置上的多个第一特征相关的第一位移和在与图案形成装置的表面基本上垂直的第二方向上相对于与支撑件上的多个第二特征相关的第二位移的、与图案形成装置上的多个第一特征相关的第二位移;以及处理装置,用于基于与支撑件上的多个第二特征相关的第一位移和第二位移中的至少一个以及与图案形成装置上的多个第一特征相关的第一位移和第二位移生成图案形成装置的表面的变形图。
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