[发明专利]用作有机电子器件的n型掺杂剂的氧化磷的盐有效
申请号: | 201380050032.6 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN104662687B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | G.施密德;A.卡尼茨;J.H.威姆肯 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贾静环 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种有机电子元件,其包括基底、第一电极、第二电极以及设置在第一和第二电极之间的至少一个电子传导层,其特征在于,所述电子传导层包含磷氧化合物的盐类型衍生物作为n型掺杂剂。 | ||
搜索关键词: | 用作 有机 电子器件 掺杂 氧化磷 | ||
【主权项】:
1.一种制造有机电子元件的方法,其中该有机电子元件包括基底、第一电极、第二电极以及设置在第一和第二电极之间的至少一个电子传导层,其特征在于,所述电子传导层包含通式1的磷氧化合物的盐类型衍生物作为n型掺杂剂,
其中,X、Y大于0且小于或等于3;n、m为整数并且大于或等于1且小于或等于3;M=金属,以及R1=O、S、Se、O‑R、S‑R、Se‑R,R2=R,并且R选自:取代和未取代的烷基、环烷基、芳基、卤代芳基、杂芳基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烯基、卤代酮烯基,其中所述磷氧化合物的盐类型衍生物的分子量大于或等于70g/mol且小于或等于1000g/mol,并且升华温度大于或等于120℃且小于或等于1200℃,其中所述方法具有以下步骤:a)提供具有第一电极的基底载体,b)将包含磷氧盐的衍生物和有机基体材料的至少一个电子传导层施加至第一电极,以及c)施加与所述电子传导层导电性接触的第二电极,其中通过从气相沉积的方法来实现步骤b)中所述电子传导层的施加,以及其中所述磷氧化合物的盐类型衍生物的阳离子为铯离子和/或铷离子。
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