[发明专利]等离子体增强化学气相沉积设备有效
申请号: | 201380050283.4 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN104769156B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 洪性喆;李万镐 | 申请(专利权)人: | BMC股份有限公司;洪性喆 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/44 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 郝文博 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备。该等离子体增强化学气相沉积设备包括一对被布置为面对彼此的磁场生成单元,两者之间具有间隙;一对对立电极,其被布置为在该对磁场生成单元之间面对彼此;气体供给单元,其被配置为将反应气体供给到该对对立电极之间的空间内;以及前驱物供给单元,其被配置为将前驱物供给到对对立电极之间的空间内。对立磁场可以被形成在该对磁场生成单元之间。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积设备,其用于在真空腔室中的涂布靶的表面上沉积薄膜,所述设备包括:一对磁场生成单元,其被布置为面对彼此,两者之间具有间隙;一对对立电极,其被布置为在所述对磁场生成单元之间面对彼此;气体供给单元,其被配置为将反应气体供给到所述成对的对立电极之间的空间内;前驱物供给单元,其被配置为将前驱物供给到所述成对的对立电极之间的空间内;以及中央磁场生成单元,其位于所述成对的对立电极之间,其中对立磁场被形成在所述对磁场生成单元之间,以及所述中央磁场生成单元被配置为在其本身与所述对磁场生成单元的每一个之间形成磁场。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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