[发明专利]于薄膜框架晶圆应用中利用部分预固化UV离型切割胶带的激光与等离子体蚀刻的晶圆切割

摘要

本发明揭示使用UV可固化黏着薄膜进行激光与等离子体蚀刻晶圆切割的方法和系统。方法包括形成遮罩以覆盖晶圆上形成的集成电路(IC)。利用UV可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合。使该UV可固化黏着薄膜预固化以使超出晶圆边缘的黏着剂周围部分固化，以增进露出的黏着剂材料对等离子体蚀刻的抗性并减少蚀刻腔室内的碳氢化合物再沉积作用(redeposition)。使用激光划线法对该遮罩进行图案化以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案露出用于形成集成电路(IC)的多个薄膜层下方的半导体晶圆区域。贯穿该图案化遮罩中的该等间隙等离子体蚀刻该半导体晶圆而切割该等集成电路(IC)。随后使该UV可固化黏着剂的中央部分固化，并使已切割的IC脱离该薄膜。

主权项

一种切割含有数个集成电路的半导体晶圆的方法，该方法包括：于该半导体晶圆上方形成遮罩，该遮罩覆盖并保护该等集成电路；利用紫外光(UV)可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合；使超出该半导体晶圆的边缘的该黏着薄膜的周围部分预固化；使用激光划线工艺对该遮罩进行图案化以提供具有间隙的图案化遮罩，暴露出介于该等集成电路之间的该半导体晶圆区域；及当该半导体晶圆固定于该黏着薄膜时，贯穿该图案化遮罩中的该等间隙蚀刻该半导体晶圆以形成经切割的集成电路。