[发明专利]层叠构造体、薄膜晶体管阵列以及它们的制造方法

摘要

层叠构造体在绝缘基板上具有第1电极层，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，在第2电极层上具有第2绝缘膜，在第2绝缘膜上具有第3电极层，该层叠构造体通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接，在第2绝缘膜的开口内，第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。

主权项

一种层叠构造体，其在绝缘基板上具有第1电极层，该第1电极层包含栅极配线、与该栅极配线连接的栅极电极、电容器配线、以及与该电容器配线连接的电容器电极在内，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，该第2电极层包含源极配线、与该源极配线连接的源极电极、漏极电极、以及与该漏极电极连接的像素电极在内，在源极电极·漏极电极之间具有半导体，该栅极电极隔着该第1绝缘膜与该半导体重叠，该电容器电极隔着该第1绝缘与该像素电极重叠，在第2电极层上具有第2绝缘膜，该第2绝缘膜在该像素电极上具有开口，在第2绝缘膜上具有第3电极层，该第3电极层包含多个加强电极以及经由该开口与该像素电极连接的上部像素电极，还具有浮动栅极晶体管，该层叠构造体的特征在于，通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接，在第2绝缘膜的开口内，第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强，在薄膜晶体管阵列的周围具有共用电极，共用电极由栅极侧共用电极和源极侧共用电极构成，在栅极配线和栅极侧共用电极之间具有栅极保护元件，在源极配线和源极侧共用电极之间具有源极保护元件，共用电极与接地电位直接连接，或者经由电阻与接地电位连接，其中，栅极侧共用电极包含于第2电极层，源极侧共用电极包含于第1电极层，该栅极保护元件和源极保护元件中的至少一者是下述情况中的某一者，即，将2个被设置为二极管连接后的薄膜晶体管反向并联而得到的结构、将2个被设置为二极管连接后的薄膜晶体管反向串联而得到的结构、或者是1个浮动栅极晶体管，该栅极保护元件的栅极电极和漏极电极的短路部、源极保护元件的栅极电极和漏极电极的短路部、栅极配线和栅极保护元件的连接部、以及源极保护元件和源极侧共用电极的连接部的至少一者，是第3电极层对第1电极层和第2电极层的连接进行中继或加强的构造。