[发明专利]光电子构件和用于制造光电子构件的方法有效
| 申请号： | 201380050893.4 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104685645B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 马丁·鲁道夫·贝林格;克里斯托夫·克伦普;马库斯·布勒尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/02;H01L33/20;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电子构件(101，301，501)，其包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中半导体层序列(105，305，505)具有用于标识构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)。本发明还涉及一种用于制造光电子构件(101，301，501)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 构件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子构件(101，301，501)，所述光电子构件包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中所述半导体层序列(105，305，505)具有用于标识所述构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)，其中所述标识件(115，315)包括所述半导体层序列(105，305，505)的层(107，109，111，113)中的一个层的编码的结构化的区域，并且其中所述半导体层序列(105，305，505)包括用于产生电磁辐射的有源区(111，513)和用于从所述有源区(111，513)中耦合输出电磁辐射的耦合输出层(113，515)，其中所述编码的结构化的区域包括所述耦合输出层(113，515)的编码的表面结构，其中所述耦合输出层包括呈所述编码的表面结构的形式的粗糙化部。
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