[发明专利]光电二极管阵列

摘要

光电二极管阵列具备形成在半导体基板的多个光电二极管。光电二极管的各个具有：第1导电型的第1半导体区域，其设置在半导体基板；第1导电型的第2半导体区域，其相对于第1半导体区域设置在半导体基板的一个面侧，具有比第1半导体区域杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第3半导体区域，其以与第2半导体区域隔开而围绕第2半导体区域的方式，相对于第1半导体区域设置在一个面侧，与第1半导体区域一起构成光检测区域；以及贯通电极，其设置在以通过第1半导体区域和第2半导体区域的方式贯通一个面与半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，与第3半导体区域电连接。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于，是具备形成在半导体基板的多个光电二极管的光电二极管阵列，所述光电二极管的各个具有：第1导电型的第1半导体区域，其设置在所述半导体基板；所述第1导电型的第2半导体区域，其相对于所述第1半导体区域设置在所述半导体基板的一个面侧，并具有比所述第1半导体区域杂质浓度高的杂质浓度；第2导电型的第3半导体区域，其以与所述第2半导体区域隔开而围绕所述第2半导体区域的方式，相对于所述第1半导体区域设置在所述一个面侧，并与所述第1半导体区域一起构成光检测区域；以及贯通电极，其设置在以通过所述第1半导体区域和所述第2半导体区域的方式贯通所述一个面与所述半导体基板的另一个面之间的贯通孔内，并与所述第3半导体区域电连接。