[发明专利]用于快速热处理的最小接触边缘环有效
申请号: | 201380051474.2 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN104704626B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 潘恒;赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉;凯文·J·鲍蒂斯塔;杰弗里·托宾 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施例大体涉及一种在工艺腔室中支撑基板的支撑环。在一个实施例中,支撑环包含内环;外环,所述外环通过平面部分连接至内环的外部周边;边缘唇,所述边缘唇从内环的内部周边径向向内延伸以形成支撑凸部;及基板支撑件,所述基板支撑件从边缘唇的顶表面向上延伸。基板支撑件可为绕边缘唇的圆周设置的连续环形体。基板支撑件从背侧绕基板的整个周边支撑基板而具有最小化的接触表面以将基板与边缘唇热切断。特定而言,基板支撑件提供与基板的背表面的实质线接触。 | ||
搜索关键词: | 用于 快速 热处理 最小 接触 边缘 | ||
【主权项】:
一种基板支撑环,所述支撑环包含:环形主体;边缘唇,所述边缘唇从所述环形主体的表面径向向内延伸,其中所述边缘唇具有沿所述基板支撑环的圆周变化的径向宽度;以及基板支撑件,所述基板支撑件从所述边缘唇的顶表面向上延伸,其中所述基板支撑件为沿所述边缘唇的圆周设置的连续环形体,并且所述基板支撑件包含基板接触表面,所述基板接触表面具有5μm至200μm的径向宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造