[发明专利]用于快速热处理的最小接触边缘环在审

专利信息
申请号: 201380051516.2 申请日: 2013-10-03
公开(公告)号: CN104718610A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;杰弗里·托宾 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/324
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本文提供用于半导体基板处理腔室的基板支撑件的边缘环的实施方式。在一些实施方式中,用于半导体处理腔室的边缘环可包括:具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面的环形主体;设置于内缘附近且从上表面向下延伸的内唇;和从内唇向上延伸且沿环形主体的内缘设置的多个突出部,其中多个突出部被布置成在内唇上方和中央开口之上支撑基板,其中内唇被配置成当在多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于边缘环上方的第一容积与设置于边缘环下方的第二容积之间行进。
搜索关键词: 用于 快速 热处理 最小 接触 边缘
【主权项】:
一种用于基板处理腔室的边缘环,所述边缘环包括:环形主体,所述环形主体具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面;内唇,所述内唇设置于所述内缘附近且从所述上表面向下延伸;和多个突出部,所述多个突出部从所述内唇向上延伸且沿所述环形主体的所述内缘设置,其中所述多个突出部被布置成在所述内唇上方和所述中央开口之上支撑基板;和其中所述内唇被配置成当在所述多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于所述边缘环上方的第一容积与设置于所述边缘环下方的第二容积之间行进。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司;,未经应用材料公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380051516.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top