[发明专利]用于快速热处理的最小接触边缘环在审
申请号: | 201380051516.2 | 申请日: | 2013-10-03 |
公开(公告)号: | CN104718610A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 赛拉朱·泰拉瓦尔尤拉;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;杰弗里·托宾 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文提供用于半导体基板处理腔室的基板支撑件的边缘环的实施方式。在一些实施方式中,用于半导体处理腔室的边缘环可包括:具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面的环形主体;设置于内缘附近且从上表面向下延伸的内唇;和从内唇向上延伸且沿环形主体的内缘设置的多个突出部,其中多个突出部被布置成在内唇上方和中央开口之上支撑基板,其中内唇被配置成当在多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于边缘环上方的第一容积与设置于边缘环下方的第二容积之间行进。 | ||
搜索关键词: | 用于 快速 热处理 最小 接触 边缘 | ||
【主权项】:
一种用于基板处理腔室的边缘环,所述边缘环包括:环形主体,所述环形主体具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面;内唇,所述内唇设置于所述内缘附近且从所述上表面向下延伸;和多个突出部,所述多个突出部从所述内唇向上延伸且沿所述环形主体的所述内缘设置,其中所述多个突出部被布置成在所述内唇上方和所述中央开口之上支撑基板;和其中所述内唇被配置成当在所述多个突出部上设置基板时实质上防止光辐射在设置于所述边缘环上方的第一容积与设置于所述边缘环下方的第二容积之间行进。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造