[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

在对多层膜进行等离子体蚀刻时，在扩大凹部的下端形状的同时抑制基底损失。进行下述步骤：将包含CF类气体和氧气的处理气体导入处理室内进行等离子体蚀刻，由此在多层膜形成直至规定深度的凹部的主蚀刻步骤，其中，该多层膜包括形成在基底硅膜上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替叠层而成的叠层膜；和之后形成凹部直至基底硅膜露出的过蚀刻步骤，过蚀刻步骤反复进行2次以上的下述过蚀刻：使氧气对CF类气体的流量比相比于主蚀刻增加而进行的第一过蚀刻；使氧气对CF类气体的流量比相比于第一过蚀刻减少而进行的第二过蚀刻。

主权项

一种等离子体处理方法，其在处理室内配置被处理基板，通过生成处理气体的等离子体，以形成了图案的掩模层作为掩模对形成在所述被处理基板的多层膜进行等离子体蚀刻，所述等离子体处理方法的特征在于：所述多层膜包括形成在基底硅膜上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替叠层而成的叠层膜，所述等离子体处理方法进行下述步骤：将包含氟碳类气体和氧气的处理气体导入所述处理室内生成等离子体，进行等离子体蚀刻，由此在所述叠层膜形成直至规定深度的凹部的主蚀刻步骤；和之后形成凹部直至基底硅膜露出的过蚀刻步骤，所述过蚀刻步骤反复进行2次以上的下述过蚀刻：使所述氧气对所述氟碳类气体的流量比相比于所述主蚀刻增加而进行的第一过蚀刻；和使所述氧气对所述氟碳类气体的流量比相比于所述第一过蚀刻减少而进行的第二过蚀刻。