[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380052050.8 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104704609B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 河田泰之;米泽喜幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,孙昌浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在通过化学气相沉积法制作SiC单晶基板后无需进行追加工序的载流子寿命长的碳化硅半导体装置的制造方法。将反应炉内的温度调整到1700℃(步骤S5)。接着，向反应炉内导入原料气体、添加气体、掺杂气体和运载气体(步骤S6)。然后，通过CVD法使SiC外延膜在4H‑SiC基板的表面生长(步骤S7)。接下来，在用氢气稀释了的甲基甲烷气体气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H‑SiC基板冷却，直到反应炉内的温度从1700℃下降到1300℃(步骤S8)。然后，在氢气气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H‑SiC基板冷却，直到反应炉内的温度下降到比1300℃低的温度(步骤S9)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：生长工序，在第一温度下通过化学气相沉积使碳化硅单晶膜在碳化硅半导体基板上生长；第一冷却工序，所述生长工序后，在含碳气体气氛下，将所述碳化硅半导体基板冷却，直到从所述第一温度变为比所述第一温度低的第二温度；第二冷却工序，所述第一冷却工序后，在氢气气氛下，将所述碳化硅半导体基板冷却，直到变为比所述第二温度低的第三温度，其中，所述第一冷却工序是在含碳及氯的气体气氛下进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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